硅光电倍增物读出（SIPM）

硅光电倍增器由微米尺寸的自淬的雪崩光电二极管像素组成，在击穿电压上方的地革命模式下操作。当光子在像素中被吸收时，它反过来射击限定的电荷。同时烧制更多像素意味着更大的总电荷脉冲。SIPM元件可以组合成矩阵并在高达60摄氏度下操作。在实践中，SIPMS表现不同于光谱响应区域中的光电倍增管和信号处理。闪烁晶体所需的SIPMS数量取决于应用的要求。在许多情况下（特别是具有非比例晶体），仅播放部分区域的仅部分的覆盖率足以实现所需的性能。SIPM探测器可提供专有的偏置发生器和前置放大器模块，该模块已经设计成在内部校正温度变化导致的增益漂移。这些模块在5.2-16 V之间的电压下运行，并消耗少于30兆瓦。